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本发明涉及一种Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流调控方法，包括以下步骤：步骤S1：用分子束外延设备在磷化铟衬底上生长Sb2Te3样品，并在样品表面制作一对点状电极; 步骤S2：构建应力装置，将环氧树脂将样品固定在应力装置上；步骤S3：通过激光器发射光照射在样品的几何中心，即两电极连线的中心，测得并提取圆偏振光电流；步骤S4：通过应力装置改变应力施加大小，并分析圆偏振光电流随应力的变化趋势；步骤S5：测量Sb2Te3样品XPS光谱并分析, 计算衬底与Sb2Te3界面的能带分布，若带阶小于零，则存在自旋注入的可能；比较没有衬底自旋注入的Sb2Te3样品的CPGE电流受应力调控情况，验证应力和衬底注入协同作用调控Sb2Te3中圆偏振光电流方法的调控效果。本发明调控Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流效果明显，可以实现连续调控。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202111553539.6
Filing Date： 2021-12-17 00:00:00
Publication Date： 2023-08-18 00:00:00
Pub. No.： CN114199782B
公开国别： 中国
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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