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基于密度泛函第一性原理计算方法,分别采用LDA、PBE和PW91三种交换关联泛函,研究半导体性单层二硫化钼的压电特性.针对三种交换关联泛函,研究获得二硫化钼晶格结构参数、 基本电学特性、 材料弹性常数和压电系数.结果显示基于LDA泛函获得的带隙更接近于实验结果,而基于PBE和PW91泛函获得的晶格结构参数、 杨氏模量和压电系数较为一致,且更接近于实验结果.
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福州大学学报（自然科学版）
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2019
Issue： 4
Volume： 47
Page： 477-481,488
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