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由液相渗硅工艺(LSI)制得了2D CF/SiC 复合材料, 经过XRD分析得知材料中SiC均为β相.经过同质量比的K3Fe(CN)6与KOH混合水溶液对其进行腐蚀, 由SEM观察腐蚀后2D CF/SiC 复合材料的形貌, 发现其中SiC呈现细等轴晶和粗大晶粒两种不同的形貌.分析认为LSI工艺制备2D CF/SiC 复合材料中生成的SiC有两种生成机制:Si原子通过空位机制向碳中扩散形成无定型SiC, 在保温过程中结晶形成细晶SiC层;C原子扩散进入熔融态硅中形成C-Si基团, 由于温度梯度和浓度梯度的存在, 在远离C/SiC界面处过饱和析出, 通过溶解-沉淀机制形成粗大的SiC晶体, 在晶粒的长大过程中伴随着层错的出现.
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复合材料学报
ISSN： 1000-3851
Year： 2017
Issue： 7
Volume： 34
Page： 1561-1568
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