Abstract：
本文基于密度泛函理论计算,研究了F掺杂对单斜BiVO4体相和表面性质的影响。热力学计算结果表明,无论对于体相还是表面,F均易掺杂到O位,而且不会引起明显弛豫。电子结构计算表明,F掺杂在体相和表面均能在导带底引入自旋极化的能态。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
Year： 2016
Page： 1-1
Language： Chinese
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 4
Affiliated Colleges：
