Abstract：
ZnO 纳米阵列器件，以其良好的电子传输路径和较大的比表面积等特性在光催化领域中倍受青睐，然而，由于禁带宽度过大、太阳光利用率低等缺陷使得ZnO 在光催化应用方面受到极大限制。
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Year： 2015
Page： 1-1
Language： Chinese
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