光催化分解水制氢被认为是将太阳能直接转化为清洁化学能的理想途径之一,而光解水制氢反应的实现往往需要引入贵金属助催化剂(典型如Pt),成本高昂.半导体MoS2因其具有与石墨烯相似的二维层状结构[1]以及良好的电催化析氢能力[2]等特点,有可能成为替代贵金属Pt的产氢助催化剂.MoS2本身不能有效地光催化产氢,因此光敏化剂的选择是研究MoS2光催化产氢性能的关键.选择光响应范围合适、易与MoS2形成紧密接触的半导体作为MoS23的光敏化剂是理想的策略之一.Zong等人[,4]在CdS颗粒上成功负载MoS25助催化剂并阐述了这两种硫化物之间形成的结对该复合催化剂的可见光光催化产氢性能的重要影响；Hou等人[　]利用结构相似性制备了MoS2/石墨相C3N4光催化剂,提高了石墨相C3N4的可见光光解水制氢活性.本文通过简单方法制备得到兼具合适带隙(2.0～2.3eV)和层状结构的过渡金属硫化物半导体In2S3作为光敏化剂,进一步水热,原位生长MoS2助催化剂,构筑MoS2@In2S3层状结光催化剂体系,实现其可见光光催化产氢性能的显著提高.