氧化石墨烯是合成石墨烯-半导体复合物最为常用的石墨烯前驱物[1-4]。同石墨烯(GR)一样,氧化石墨烯(GO)也是由单原子层的碳网格组成。这种独特的二维平面结构连同其表面上的大量含氧官能团使得GO　成为了半导体纳米晶理想的成核和生长的基底[1-4]。以GO　作为前驱物制备的石墨烯-半导体复合物其活性较之于半导体有明显的增强。而石墨烯-半导体复合物活性的增强,通常归结于石墨烯可以促进电子空穴的分离[1-3]。但必须指出的是,光生载流子的寿命并不是影响半导体光催化性能的唯一因素。半导体的结构(如结构组成和缺陷)[5,6]和石墨烯同半导体之间的协同作用方式同样对石墨烯-半导体的光催化性能有重要的作用。因此,系统的材料调控,包括调控材料结构和形貌以及不同组分之间的界面接触等,对于开发新型的活性可调控的石墨烯-半导体复合材料是至关重要的。在本文中,我们巧妙的利用氧化石墨烯独特的性质来调控合成具有可控形貌,缺陷结构和光催化活性的ZnO　纳米晶：利用氧化石墨烯作为独特的二维大分子表面活性剂,可以一步实现对ZnO　纳米晶的形貌、缺陷结构以及光催化活性进行调控(如图　1　所示)。所制备得的RGO-ZnO　纳米复合物具有可调控的形貌和缺陷结构并且具有明显的可见光活性；而空白的ZnO　只能被紫外光激发。