Indexed by：
Abstract：
针对IGBT器件驱动电路的结构,分析了IGBT器件门极控制机理,并建立了开关驱动模型.IGBT开关动作受极间寄生电容充放电的控制,而极间电容的充放电又受栅极电阻的控制.栅极电阻影响IGBT开关时间、开关损耗、续流二极管的开关特性及其他各种参数.从频域和时域详细分析了栅极振荡产生的机理以及栅极电阻的选择对系统性能的影响.仿真和试验结果表明,可以针对驱动电路的要求设计合适的电阻.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Version：
Source ：
电器与能效管理技术
ISSN： 2095-8188
CN： 31-2099/TM
Year： 2016
Issue： 10
Page： 13-17
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
