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采用热蒸发法制备Sn掺杂(＜1％(原子比))四针状ZnO(T-SZO)纳米结构,通过优化生长时间,获得不同形貌T-SZO纳米结构,并对其结构和场发射性能进行了研究.结果表明,T-SZO的形貌随生长时间不同有显著变化,继而影响其场发射特性.生长时间为5 min的样品表现大的长径比(长径比为25),其开启场强、阈值场强和场增强因子分别为1.81,3.0V/μm和6770,表现出良好的场发射性能.
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真空科学与技术学报
ISSN： 1672-7126
Year： 2016
Issue： 6
Volume： 36
Page： 638-642
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