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提出了芯片内部振荡器的一种设计方案,该振荡器采用了全差分环形振荡器的结构,其延迟单元使用了共模反馈和交叉耦合晶体管对对频率进行调节校准,抑制相位噪声能力强.还提出了一种新型的基准源结构,这种结构产生的电流温漂系数小、电源抑制比高.该设计基于CSMC 0.35 μm CMOS工艺,测试结果表明,在3.3V的低电源电压下,振荡频率抖动范围很小,中心频率在11.4 MHz,功耗仅为1.4 mW.
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固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
CN： 32-1110/TN
Year： 2014
Issue： 1
Volume： 34
Page： 50-55
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