采用光刻技术在覆盖有氧化锌(ZnO)薄膜的　ITO　玻璃片衬底上实现图形化生长,结合水热法在衬底上制备出结构完整、排列一致的　ZnO　矩形和圆环型单元阵列.在图形化的基础上二次生长　ZnO　纳米锥阵列,锥长度最大可达到　10　μm,远大于一次生长的长度,并且发现锥顶有很多精细的类似针状的纳米量级微细结构.分析了非图形化、图形化一次以及图形化二次生长的　ZnO　纳米锥阵列的场致发射性能.使用图形化二次生长的　ZnO　纳米锥阴极阵列制作了12.7　cm(5　inch)的场发射显示器(FED),能实现全屏发光.实验结果表明,图形化二次生长的　ZnO纳米锥阵列发射电流密度为最大,可达　0.6　mA/cm2,其开启场强为　2.5　V/μm.图形化生长　ZnO　纳米锥的方法是一种能较好改善材料场发射性能的好方法,为寻求良好场发射性能材料的制备提供了一条有效的实验途径.