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SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一,具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔.本文着重介绍SiC陶瓷材料的分子动力学模拟的势能模型及主要技术细节.
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山东陶瓷
ISSN： 1005-0639
CN： 37-1221/TQ
Year： 2003
Issue： 6
Volume： 26
Page： 11-13
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