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研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力，通过改变薄膜沉积时的工艺参数，考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上，对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。
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真空科学与技术学报
ISSN： 1672-7126
CN： 11-5177/TB
Year： 2001
Issue： 1
Volume： 21
Page： 51-54
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