Rice和Thomson[1]认为,如裂纹发射位错比解理扩展更困难,则裂纹解理扩展从而脆断.否则裂纹就钝化而韧断,故他们认为脆性裂纹扩展前不发射位错.实验工作已证明[2,3]通过位错塞积模型可以形成脆性(解理)裂纹核,并研究了裂纹发射位错以及裂纹解理扩展的竞争过程.而有关室温下单晶硅的裂纹形核和位错组态则报道较少,由于其性能各向异性、缺陷少,容易避免或减少其他微观缺陷对研究的影响.本实验用显微压痕法可以诱发微裂纹产生,并使材料局部形变和断裂.实验用单晶硅尺寸为5mm×4mm×1mm,依次打磨、抛光、清洗后用HD-1000型维氏显微硬度计上载荷为10g、25g,50g在(001)、(110)、(111)三个晶面上分别进行压痕试验,随之在GL-6900离子减薄仪上进一步将样品减薄,放大JEOL-2000EX透射电镜(加速电压120kV～160kV)中观察其裂纹形貌和位错组态.