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采用WO3陶瓷靶,运用射频反应磁控溅射工艺,通过正交试验方法优化实验参数,制备出性能优异的WO3电致变色薄膜,通过对薄膜进行真空热处理,提高了薄膜变色存储能力。结果表明,氧分量为60%、压强为2.5Pa、功率为145W时制备的薄膜,对光调制幅度(ΔT)达89.3%。适度温度真空热处理可改善薄膜性能,着色率略有提高,变色存储时间增加(达32h),离子存储能力增大(达3.96mC/cm2),循环稳定性能良好,同时热处理使薄膜晶化,密度增加,变色响应时间增加。
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功能材料与器件学报
Year： 2012
Issue： 02
Volume： 18
Page： 165-171
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