Indexed by：
Abstract：
采用磁控溅射方法制备碳纳米管SnO2薄膜,通过分析不同工艺条件下制备的气敏元件在NO2气氛中的灵敏度响应特性,以及比较不同的薄膜厚度的气敏元件的性能特性,来研究磁控溅射工艺条件的改变对碳纳米管SnO2气敏元件的性能的影响。实验表明:磁控溅射的工艺条件对气敏元件的性能有很大的影响,射频反应溅射碳纳米管SnO2气敏元件有较好的性能,最佳的气敏元件薄膜厚度在30nm左右。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
陶瓷学报
Year： 2008
Issue： 03
Page： 236-238
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 3
Affiliated Colleges：
