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报告并分析了ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ阱间弱耦合且阱中掺杂的第一类超晶格样品在７７Ｋ温度下分别以动态高速扫描方式和准静态低速扫描方式所测量的纵向输运的Ｉ－Ｖ曲线．从准静态数据发现各负阻段的段平均微分负阻基本上与样品偏压无关．分析表明，在Ｉ－Ｖ关系曲线平台区纵向电流与相邻势阱间偏压的关系中，共振隧穿过程与顺序共振隧穿过程的微分电阻值接近相等．本工作从高速动态数据确定了畴边界完成一次跳跃移动的时间，实验样品的这一时间为７０±３０ｎｓ，由此计算出隧穿电流的峰谷比约为２．０．
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福州大学学报(自然科学版)
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 1998
Issue： 01
Page： 24-28
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