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＜正＞ 由于OHS晶体面间距大,自发成核趋势很强,在晶体生长过程中易产生新的晶核和母液包藏。且生长速度很难控制,因此常导致单晶培养工作的失败。本文采用溶液降温法培养OHS单晶体,对单晶生长的主要条件进行了多方面深入细致的研究。通过对溶剂的选择、溶解度曲线、过饱和度曲线和介稳区的测定,晶体成核速率以及过饱和度对晶体生长的影响等
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人工晶体学报
ISSN： 1000-985X
CN： 11-2637/O7
Year： 1991
Issue： Z1
Page： 288
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