Abstract：
硫化锑(Sb_2S_3)是一种价格低廉、环境友好、物相单一的半导体光电材料,带隙为1.73 eV,吸光系数达105 cm~(-1),其薄膜太阳能电池具有巨大的应用潜力。同时,在叠层结构中,Sb_2S_3的带隙与硅电池完美匹配,有利于促进下一代硅电池的发展。探究材料的本质特性,提升器件性能是发展的主要方向。~([1]) Sb_2S_3晶体结构中存在两类Sb原子和三类S原子,类型都不相同,缺陷状态复杂多样。改善吸收层的缺陷态对性能尤为重要。我们采用快速热蒸发法在低温条件下制备出非晶超薄的Sb_2S_3薄膜,保证真空环境的Sb和S的化学计量比,减少S空位缺陷。然后采用密闭空间的S气氛快速退火方式,使...
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Year： 2020
Language： Chinese
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