由液相渗硅工艺(LSI)制得了2D　CF/SiC复合材料,经过XRD分析得知材料中SiC均为β相。经过同质量比的K3Fe(CN)6与KOH混合水溶液对其进行腐蚀,由SEM观察腐蚀后2D　CF/SiC复合材料的形貌,发现其中SiC呈现细等轴晶和粗大晶粒两种不同的形貌。分析认为LSI工艺制备2DCF/SiC复合材料中生成的SiC有两种生成机制:Si原子通过空位机制向碳中扩散形成无定型SiC,在保温过程中结晶形成细晶SiC层;C原子扩散进入熔融态硅中形成C—Si基团,由于温度梯度和浓度梯度的存在,在远离C/SiC界面处过饱和析出,通过溶解-沉淀机制形成粗大的SiC晶体,在晶粒的长大过程中伴随着层错的出现。