使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了si02/聚酰亚胺(PI)/SiO2绝缘膜。分别使用x射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征;利用超高阻微电流测试仪测试了Si02/PI/Si02复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性;采用SiOz/PI/Si02作为绝缘膜,制作了后栅型场致发射器件,使用场发射测试系统测试了器件的开启电压、发射电流以及发光亮度。结果表明:Si02/PI/Si02复合绝缘膜具有高的击穿电压和低的漏电流密度,后栅器件中栅极对阴极表面的电场强度调控作用明显,阳极电压为750V时,栅极开启电压为91V,阳极电流可达384uA,栅极漏电流仅为59uA,器件最高亮度可达600cd/m2。