报道了酞菁钴(CoPc)分子原位自组装于纳米　SnO2　颗粒表面,　CoPc　大环分子与　SnO2　表面形成　Co—O轴向相互作用,　测定了原位合成方法(标记为　i)制备的　CoPc/SnO2(i)与浸渍法(标记为　d)制备　CoPc/SnO2(d)间的结合特性,　并进行了可见光光催化表征及　CoPc　敏化机理探讨.　结果表明,　在结合位点数相当的情况下,　CoPc/SnO2(i)结合常数比　CoPc/SnO2(d)的高两个数量级,　前者的光催化效率亦比后者高　32.5%(光照　150　min),　且　CoPc/SnO2(i)光催化稳定性较高(重复十次循环使用).　其　CoPc　敏化　SnO2　的机理为,　由于敏化剂与半导体之间存在的强相互作用,　不仅增强了光生电荷在　CoPc　的　LUMO　与　SnO2　半导体导带间的导入效率及光生电荷对的分离效率,　而且提高了敏化剂的负载稳定性与循环光催化效率的持续性.