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应用自旋极化的第一性原理对过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂的CuGaSe2和CuGaS2进行研究。计算结果表明:Cr和Mn掺杂的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2稀磁半导体(DMS)表现为铁磁性质,而V、Fe、Co和Ni掺杂时表现为反铁磁性质。对稀磁半导体的磁矩研究,其结果符合一条简单的规律:当磁性离子3d的t2g轨道完全被占据时,磁性离子的磁矩比理论的期望值小;当磁性离子3d的t2g轨道处于全空时,磁性离子的磁矩比理论的期望值大;而当磁性离子3d的t2g轨道处于部分被占据时,磁性离子的磁矩与理论值的差距主要取决于晶体的对称性和磁性离子的状态。
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福州大学学报：自然科学版
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2008
Issue： 4
Volume： 36
Page： 517-522
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