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根据所建立的半绝缘(SI)GaAs的禁带宽度Egг公式,利用表面光伏(SPV)方法的测量结果,计算了室温下5种样品的EgP值,并对其中之一进行了21-300K温度范围的Egг计算,确认了SPV方法对研究SI-GaAs禁带宽度的可行性。
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福州大学学报：自然科学版
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2003
Issue： 2
Volume： 31
Page： 144-146
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