In　this　paper,　a　InP/ZnSe/ZnS　quantum　dots　photoresist　(QDPR)　film　has　been　successfully　prepared　after　the　as-synthesized　InP/ZnSe/ZnS　quantum　dots　(QDs)　were　mixed　with　the　photoresist,　where　the　molar　ratio　of　P3−　:　In3+:　Se2−　was　6:1:3　and　the　reaction　time　the　ZnS　shell　was　60　min.　The　influence　of　the　thickness　of　the　film　and　the　mass　ratio　of　InP/ZnS　QDs　to　photoresist　on　the　photoluminescence　quantum　yield　(PLQY)　was　investigated.　The　results　show　that　the　PLQY　changes　from　39.9%　to　52.6%　and　the　CIE　color　coordinates　could　vary　from　(0.28,　0.　10)　to　(0.65,　0.32)　with　the　assistance　of　5.5　pairs　of　DBR　structures　when　the　thickness　of　the　InP/ZnSe/ZnS　QDPR　films　is　7.82　µm　and　the　mass　ratio　(wt%)　of　the　InP/ZnSe/ZnS　QDs　to　the　photoresist　is　25%.　Compared　with　the　InP/ZnSe/ZnS　QDs　film,　the　PLQY　of　the　patterned　InP/ZnSe/ZnS　QDs　layer　can　reach　to　be　47.2%　and　the　CIE　color　coordinates　of　is　varied　from　(0.28,　0.10)　to　(0.35,　0.14).　Furthermore,　the　PLQY　of　the　patterned　InP/ZnSe/ZnS　QDs　layer　can　be　improved　to　65.1%　at　5.5　pairs　of　DBR　structures.　Based　on　these　results,　the　InP/ZnSe/ZnS　QDs　films,　especially　patterned　QD　layer,　show　great　potential　for　the　fabrication　of　high-quality　QD　color　filter　and　full-color　displays.　©　2022　Optica　Publishing　Group　under　the　terms　of　the　Optica　Open　Access　Publishing　Agreement