A　full　Ka-band　millimeter-wave　power　amplifier　(PA)　with　magnetic　coupling　resonator　(MCR)　matching　network　is　designed　in　this　paper　which　is　based　on　65nm　SOI　CMOS　process.　Impedance　transformation　is　performed　by　MCR　to　achieve　broadband　impedance　matching.　The　technology　of　neutralizing　capacitor　and　source　degeneration　inductance　is　adopted　to　effectively　improve　the　circuit　performance.　The　simulation　results　of　the　amplifier　show　that　at　28GHz,　the　saturated　output　power　(Psat)　is　20.1dBm,　the　output　power　1dB　compression　point　(P1dB)　is　18.3dBm,　and　the　peak　power　added　efficiency　(PAE)　is　31.2%.　The　small-signal　gain　of　21.4dB　and　the　3dB　bandwidth　of　is　21.5-41GHz,　with　a　fractional　bandwidth　of　62%,　which　can　cover　the　entire　Ka-band.　©　2022　IEEE.