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本发明提出一种光通信波段宽带宽高效率水平端面耦合器及其制作方法，包括：硅衬底层，二氧化硅包覆层和全刻蚀的倒锥型硅纳米线波导；在所述全刻蚀的倒锥型硅纳米线波导上方的二氧化硅包覆层中，有三层数量、尺寸以及结构完全相同的氮化硅波导阵列。能在光通信波段实现普通单模光纤与硅集成光子芯片的高效率、大带宽，且非偏振相关的有效耦合，且具对准容差较大、器件结构参数选取灵活、易于加工等明显优点，有助于推动硅集成光芯片的封装以及进一步在光通信、光互连方面的应用研究。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202210084606.2
Filing Date： 2022-01-25 00:00:00
Publication Date： 2023-10-17 00:00:00
Pub. No.： CN114265147B
公开国别： 中国
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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