Abstract：
目前，通过各种量子点图案化技术制备的高分辨率量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diode,QLED）普遍面临低效率的问题，其主要原因是像素之间存在较大的漏电流。为了解决该问题，本文采用纳米压印技术制备了蜂窝状聚甲基丙烯酸甲酯(Poly（methyl methacrylate）,PMMA)薄膜，并将其作为电荷阻挡层应用在QLED发光层中，成功获得了分辨率为8 467像素每英寸（Pixel per inch,PPI）的红色QLED器件。由于PMMA良好的绝缘特性，电荷阻挡层成功隔绝了电子传输层和空穴传输层的直接接触，所制备器件的漏电流相较于无阻挡层图案化器件大幅降低，使其外量子效率（External quantum efficiency,EQE）得到较大提升，最大EQE达到了15.31%，最大亮度为100 274 cd/m
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发光学报
Year： 2025
Issue： 06
Volume： 46
Page： 1120-1128
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