光刻法是一种制备微型发光二极管（Micro-LED）像素化色转换薄膜的可靠方案，但存在量子点与光刻胶兼容性的难题。本文开发了一种通过N-苯基马来酰亚胺（NPMI）侧链改性的丙烯酸树脂制备兼容量子点的光刻胶，侧链基团上C==O键能与量子点形成配位键从而钝化表面缺陷，并提高量子点分散性，使光刻胶溶液的量子产率（PLQY）达到76.1%（红色）和43.4%（绿色）。最终制备色转换薄膜时钝化效果仍然存在，绿色和红色的PLQY分别达到了66.4%和36.4%，像素化图形最小尺寸可实现10μm×10μm的矩形阵列。本研究中的树脂侧链改性方法为开发兼容量子点的光刻胶提供了指导，为Micro-LED全彩化的商业化应用提供了一种简便且可行的解决方案。