Abstract：
基于SIMC 0.18μm工艺，设计了一种低温漂高电源纹波抑制比（PSRR）的带隙基准电压源（BGR）。采用分段补偿技术优化BGR的温度系数，提出一种预稳压技术来提高BGR的PSRR性能。仿真结果显示，该BGR的温漂系数在tt工艺角下仿真结果为1.3×10
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
微电子学
Year： 2025
Issue： 03
Volume： 55
Page： 418-423
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
