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学者姓名：李调阳
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Abstract ：
采用脉冲激光沉积技术生长出非晶氧化铟镓锌(Indium-gallium-zinc-oxide,IGZO)半导体沟道,并基于微纳加工工艺制备出高性能背栅场效应晶体管,系统研究了沉积温度、氧气压强、后退火对器件电学特性的影响.结果表明,最佳沉积温度为200℃,且随着氧气压强的增加,IGZO场效应晶体管的阈值电压单调正移,当氧气压强为15 Pa时,器件阈值电压大于0 V,晶体管从耗尽型转变到增强型,同时电流开关比提升了5个数量级达到107,提取得到的场效应迁移率为11.8 cm2/(V·s).通过X射线光电子能谱表征分析,阈值电压正移主要得益于氧气压强的增加降低了IGZO薄膜中的氧空位浓度(即载流子浓度).此外,为进一步优化器件的电学特性,在 250℃温度及Ar∶O2 氛围中进行了 2 h退火处理,IGZO场效应晶体管在阈值电压保持不变的同时,器件迁移率提升至16.1 cm2/(V·s),接触电阻从0.026 5 kΩ·mm降低至0.003 kΩ·mm.
Keyword ：
场效应晶体管 场效应晶体管 氧化铟镓锌 氧化铟镓锌 脉冲激光沉积 脉冲激光沉积 迁移率 迁移率
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| GB/T 7714 | 梅佳旺 , 李调阳 . 基于脉冲激光沉积的非晶IGZO场效应晶体管的性能优化 [J]. | 固体电子学研究与进展 , 2025 , 45 (1) : 82-86 . |
| MLA | 梅佳旺 等. "基于脉冲激光沉积的非晶IGZO场效应晶体管的性能优化" . | 固体电子学研究与进展 45 . 1 (2025) : 82-86 . |
| APA | 梅佳旺 , 李调阳 . 基于脉冲激光沉积的非晶IGZO场效应晶体管的性能优化 . | 固体电子学研究与进展 , 2025 , 45 (1) , 82-86 . |
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Abstract ：
This work demonstrates a low thermal budget amorphous InWO (alpha-IWO) thin film transistor (TFT) achieving a subthreshold swing (S.S.) of 40 mV/decade without utilizing a ferroelectric gate oxide. The oxygen vacancies in alpha-IWO induce the formation of an interfacial dipole layer at the surface between alpha-IWO and SiO2/HfO2. The TFT with dipole-rich interface exhibits the S.S. value below 60 mV/decade over 2 decades of drain current. X-ray diffraction (XRD) confirmed the absence of the ferroelectric orthorhombic phase in the HfO2 layer. Besides, the low thermal budget alpha-IWO TFT also exhibits a high field effect mobility of 97 cm(2)/Vs and a large on/off current ratio of 1.8E6, while the process temperature is as low as 300 degrees C.
Keyword ：
alpha-InWO alpha-InWO Annealing Annealing Capacitors Capacitors Hafnium oxide Hafnium oxide high-k engineering high-k engineering Hysteresis Hysteresis interfacial dipole layer interfacial dipole layer Logic gates Logic gates Negative capacitance-like Negative capacitance-like oxygen vacancy oxygen vacancy steep subthreshold swing steep subthreshold swing Stress Stress Thermal stability Thermal stability thin film transistor thin film transistor Thin film transistors Thin film transistors Transistors Transistors X-ray scattering X-ray scattering
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| GB/T 7714 | Zhao, Zefu , Gan, Kai-Jhih , Pan, Shenglin et al. Dipole-Enhanced Low Thermal Budget Amorphous InWO TFT Achieving a Steep Subthreshold Swing of 40 mV/Decade Without Ferroelectric Layer [J]. | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS , 2025 , 46 (3) : 436-439 . |
| MLA | Zhao, Zefu et al. "Dipole-Enhanced Low Thermal Budget Amorphous InWO TFT Achieving a Steep Subthreshold Swing of 40 mV/Decade Without Ferroelectric Layer" . | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 46 . 3 (2025) : 436-439 . |
| APA | Zhao, Zefu , Gan, Kai-Jhih , Pan, Shenglin , Wang, Shaohao , Li, Tiaoyang , Ruan, Dun-Bao . Dipole-Enhanced Low Thermal Budget Amorphous InWO TFT Achieving a Steep Subthreshold Swing of 40 mV/Decade Without Ferroelectric Layer . | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS , 2025 , 46 (3) , 436-439 . |
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Abstract ：
Time-dependent second harmonic generation (TD-SHG) is an emergent sensitive and non-contact method to qualitatively/quantitively characterize the semiconductor materials, which is closely related to the interfacial electric field. Here, the TD-SHG technique is used to study the interface quality of atomic layer deposited 15 nm HfO2/Si (n-type/p-type) samples, which is compared to the conventional electrical characterization method. A relation between the interface state density and the time constant extracted from TD-SHG is revealed, indicating that TD-SHG is an effective method to evaluate the interface state density. In addition, the dopant type and dopant density can be disclosed by resolving the dynamic process of TD-SHG. The scenario of interfacial electric field between the initial electric field and the laser-induced electric field is proposed to explain the time-dependent evolution of SHG signal. In conclusion, the TD-SHG is a sensitive and non-contact method as well as simple and fast to characterize the semiconductor materials, which may facilitate the semiconductor in-line testing.
Keyword ：
dopant type/density dopant type/density high k material high k material interface state density interface state density time-dependent second harmonic generation time-dependent second harmonic generation
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| GB/T 7714 | Ye, Li , Zhang, Libo , Wang, Shaotong et al. The study of interface quality in HfO2/Si films probed by second harmonic generation [J]. | JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS , 2024 , 57 (41) . |
| MLA | Ye, Li et al. "The study of interface quality in HfO2/Si films probed by second harmonic generation" . | JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 57 . 41 (2024) . |
| APA | Ye, Li , Zhang, Libo , Wang, Shaotong , Zhao, Weiwei , Huang, Chongji , Gao, Wenshuai et al. The study of interface quality in HfO2/Si films probed by second harmonic generation . | JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS , 2024 , 57 (41) . |
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Abstract ：
本发明公开了一种用于快速、高灵敏和高通量检测有机磷及氨基甲酸酯类农药残留的装置，由若干个相互独立微流通道构成，每个微流通道分别设置有进样口A、进样口B、混匀器A、进样口C、混匀器B、检测区、出样口：其中进样口A和进样口B并联，且与混匀器A串联，混匀器A、进样口C、混匀器B、检测区和出样口依次相连；进样口A通入待测试样本，进样口B通入乙酰胆碱酶溶液，进样口C通入氯化乙酰胆碱溶液；检测区为ITO FET双氧水传感器。本发明的待测样本中的有机磷及氨基甲酸酯类杀虫剂与AChE在蛇形混元器中同时充分混合和孵育，节省混合与孵育时间；且采用AChE与ChOD双酶体系，避免使用需要低温保存的底物ATChCl。
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| GB/T 7714 | 李调阳 , 林本慧 , 王鸣巍 . 一种用于快速、高灵敏和高通量检测有机磷及氨基甲酸酯类农药残留的装置及其使用方法 : CN202111338410.3[P]. | 2021-11-12 00:00:00 . |
| MLA | 李调阳 et al. "一种用于快速、高灵敏和高通量检测有机磷及氨基甲酸酯类农药残留的装置及其使用方法" : CN202111338410.3. | 2021-11-12 00:00:00 . |
| APA | 李调阳 , 林本慧 , 王鸣巍 . 一种用于快速、高灵敏和高通量检测有机磷及氨基甲酸酯类农药残留的装置及其使用方法 : CN202111338410.3. | 2021-11-12 00:00:00 . |
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Abstract ：
本发明公开了一种检测COVID‑19抗体的血糖生物传感器，其包括以下组件：新冠病毒COVID‑19抗原、新冠病毒COVID‑19抗体、修饰有发夹结构DNA片段H1‑DNA的新冠病毒COVID‑19二抗、触发DNA片段T‑DNA、酶标记的发夹结构DNA片段H2‑DNA和血糖生物传感器。该生物传感器构筑新冠病毒抗原‑COVID‑19 IgG/IgM‑(H1‑DNA‑H2‑DNA复合物)三明治结构；该三明治结构中H2‑DNA上标记的酶将糖类底物转化为葡萄糖；葡萄糖溶液滴加在血糖生物传感器上用血糖生物传感器检测葡萄糖的量，进而检测出COVID‑19 IgG/IgM的含量。
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| GB/T 7714 | 李调阳 , 林本慧 , 林美雅 . 一种检测COVID-19抗体的血糖生物传感器 : CN202111339185.5[P]. | 2021-11-12 00:00:00 . |
| MLA | 李调阳 et al. "一种检测COVID-19抗体的血糖生物传感器" : CN202111339185.5. | 2021-11-12 00:00:00 . |
| APA | 李调阳 , 林本慧 , 林美雅 . 一种检测COVID-19抗体的血糖生物传感器 : CN202111339185.5. | 2021-11-12 00:00:00 . |
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Abstract ：
本发明公开了一种用氧化铟锡场效应晶体管检测蛋白质等电点的装置及使用方法。所述装置包括氧化铟锡场效应晶体管，所述氧化铟锡场效应晶体管从下至上依次设有衬底、高κ介质层、ITO沟道层，所述ITO沟道层的两端设有源漏电极，中部表面沉积有用于吸附蛋白质的金纳米粒子，所述源漏电极上设有绝缘层；所述氧化铟锡场效应晶体管的上部设有样品腔室，所述样品腔室的顶部设有若干个进样口和单个出样口。本发明反向利用这个“局限性”来测定蛋白质的等电点(pI)：通过连续改变测试溶液的酸碱度(pH)，当溶液pH与蛋白质的pI相等时，场效应晶体管的沟道电流(Ids)信号出现拐点。
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| GB/T 7714 | 李调阳 , 林本慧 , 王鸣巍 . 一种用氧化铟锡场效应晶体管测定蛋白质等电点的装置及使用方法 : CN202210567980.8[P]. | 2022-05-24 00:00:00 . |
| MLA | 李调阳 et al. "一种用氧化铟锡场效应晶体管测定蛋白质等电点的装置及使用方法" : CN202210567980.8. | 2022-05-24 00:00:00 . |
| APA | 李调阳 , 林本慧 , 王鸣巍 . 一种用氧化铟锡场效应晶体管测定蛋白质等电点的装置及使用方法 : CN202210567980.8. | 2022-05-24 00:00:00 . |
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Abstract ：
本发明公开了一种基于DNA纳米四合体的氧化铟锡场效应晶体管生物传感器及其应用。所述生物传感器包括发夹结构捕获探针DNA H1、发夹结构置换探针DNA H2、发夹结构DNA H3、发夹结构DNA H4、氧化铟锡场效应晶体管。该生物传感器结合生物素‑链霉亲和素新型生物反应放大系统的核酸杂交产物cHCR‑SANTs具有稳定的空间网状结构，且cHCR‑SANTs可向四周不断延伸而不仅是垂直于沟道表面，有效提高了徳拜长度内的核酸杂交效率，从而极大改变了沟道表面的电荷变化，实现超低浓度的目标核酸检测。
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| GB/T 7714 | 李调阳 , 林美雅 , 林本慧 et al. 一种基于DNA纳米四合体的氧化铟锡场效应晶体管生物传感器及其应用 : CN202111535972.7[P]. | 2021-12-16 00:00:00 . |
| MLA | 李调阳 et al. "一种基于DNA纳米四合体的氧化铟锡场效应晶体管生物传感器及其应用" : CN202111535972.7. | 2021-12-16 00:00:00 . |
| APA | 李调阳 , 林美雅 , 林本慧 , 王鸣巍 . 一种基于DNA纳米四合体的氧化铟锡场效应晶体管生物传感器及其应用 : CN202111535972.7. | 2021-12-16 00:00:00 . |
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Abstract ：
本发明提出一种检测尿液外观的传感器，所述传感器为光电检测器，以ITO FET作为光电检测元件；所述ITO FET为以透明薄膜封装的氧化铟锡场效应晶体管；ITO FET上固定有用于装载尿液样品的透明的样品池；当检测尿液外观时，以预设规格的光源照射样品池，ITO FET通过检测样品池处的透射光来对尿液样品进行定量检测；本发明可应用于尿液外观的快速、定量检测，无需专业人士操作，传感器结构简单，只需要紫外灯光源即可工作，无需专业人员操作。
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| GB/T 7714 | 李调阳 , 林本慧 . 一种检测尿液外观的传感器 : CN202111264225.4[P]. | 2021-10-28 00:00:00 . |
| MLA | 李调阳 et al. "一种检测尿液外观的传感器" : CN202111264225.4. | 2021-10-28 00:00:00 . |
| APA | 李调阳 , 林本慧 . 一种检测尿液外观的传感器 : CN202111264225.4. | 2021-10-28 00:00:00 . |
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Abstract ：
本发明公开了一种基于原子层沉积半导体沟道的凹槽型场效应晶体管生物传感器。利用原子层沉积技术优异台阶覆盖性和原子级膜厚精确控制的特点，在三维凹槽结构上依次沉积高k介质和氧化铟锡半导体，制备出三维凹槽结构场效应晶体管生物传感器。三维凹槽结构器件可克服德拜屏蔽效应的影响，实现比平面结构更大的德拜长度，可以在高离子强度溶液中检测出低浓度的疾病标志物，具有高灵敏度和快速检测的优势，在即时检测、体外诊断、生化分析等领域展现出广阔的应用前景。
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| GB/T 7714 | 李调阳 , 林本慧 , 王鸣巍 et al. 一种基于原子层沉积半导体沟道的凹槽型场效应晶体管生物传感器 : CN202210567840.0[P]. | 2022-05-24 00:00:00 . |
| MLA | 李调阳 et al. "一种基于原子层沉积半导体沟道的凹槽型场效应晶体管生物传感器" : CN202210567840.0. | 2022-05-24 00:00:00 . |
| APA | 李调阳 , 林本慧 , 王鸣巍 , 王博 . 一种基于原子层沉积半导体沟道的凹槽型场效应晶体管生物传感器 : CN202210567840.0. | 2022-05-24 00:00:00 . |
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