Copper　zinc　tin　sulfur　(CZTS)　thin　films　have　been　extensively　studied　in　recent　years　for　their　advantages　of　low　cost,　high　absorption　coefficient　(＞=　10(4)　cm(-1)),　appropriate　band　gap　(similar　to　1.5　eV),　and　nontoxicity.　CZTS　thin　films　are　promising　materials　of　solar　cells　like　copper　indium　gallium　selenide　(CIGS).　In　this　work,　CZTS　thin　films　were　prepared　on　glass　substrates　by　vacuum　evaporation　and　sulfurization　method.　Sn/Cu/ZnS　(CZT)　precursors　were　deposited　by　thermal　evaporation　and　then　sulfurized　in　N-2　+　H2S　atmosphere　at　temperatures　of　360-560　degrees　C　to　produce　polycrystalline　CZTS　thin　films.　It　is　found　that　there　are　some　impurity　phases　in　the　thin　films　with　the　sulfurization　temperature　less　than　500　degrees　C,　and　the　crystallite　size　of　CZTS　is　quite　small.　With　the　further　increase　of　the　sulfurization　temperature,　the　obtained　thin　films　exhibit　preferred　(112)　orientation　with　larger　crystallite　size　and　higher　density.　When　the　sulfurization　temperature　is　500　degrees　C,　the　band　gap　energy,　resistivity,　carrier　concentration,　and　mobility　of　the　CZTS　thin　films　are　1.49　eV,　9.37　Omega　.　cm,　1.714　x　10(17)　cm(-3),　and　3.89cm(2)/(V　.　s),　respectively.　Therefore,　the　prepared　CZTS　thin　films　are　suitable　for　absorbers　of　solar　cells.