Sn/Cu/ZnS　precursor　were　deposited　by　evaporation　on　soda　lime　glass　at　room　temperature,　and　then　polycrystalline　thin　films　of　Cu　2ZnSnS4　(CZTS)　were　produced　by　sulfurizing　the　precursors　in　a　sulfur　atmosphere　at　a　temperature　of　550　°C　for　3　h　Fabricated　CZTS　thin　films　were　characterized　by　X-ray　diffraction,　energy　dispersive　X-ray　spectroscopy,　ultraviolet-visible-near　infrared　spectrophotometry,　the　Hall　effect　system,　and　3D　optical　microscopy.　The　experimental　results　show　that,　when　the　ratios　of　[Cu]/([Zn]　+　[Sn])　and　[Zn]/[Sn]　in　the　CZTS　are　0.83　and　1.15,　the　CZTS　thin　films　possess　an　absorption　coefficient　of　larger　than　4.0　×　104　cm-1　in　the　energy　range　1.5-3.5　eV,　and　a　direct　band　gap　of　about　1.47　eV.　The　carrier　concentration,　resistivity　and　mobility　of　the　CZTS　film　are　6.98　×　1016　cm-3,　6.96　Ωcm,　and　12.9　cm2/(Vs),　respectively　and　the　conduction　type　is　p-type.　Therefore,　the　CZTS　thin　films　are　suitable　for　absorption　layers　of　solar　cells.　©　2012　Chinese　Institute　of　Electronics.