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Abstract:

  采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似,计算了金红石型SnO2和Sn0.875Ru0.125O2的能带结构和电子态密度,详细分析了掺杂前后体系的品格常数和带隙附近的电子结构。结果表明:Ru加入SnO2后,体系的晶格常数和体积均减小;同时,掺杂Ru后费米能级进入导带,导电类型发生改变;掺杂后使电子有效质量降低了40%,而载流子浓度增大约500倍,极大地提高了材料的导电性能。本文的计算结果为钛基Sn1-RuxO2氧化物电极的开发与应用提供了理论依据。

Keyword:

掺杂改性 氧化物电极 电子结构 第一性原理

Community:

  • [ 1 ] [邓芬勇]福州大学材料科学与工程学院
  • [ 2 ] [王欣]福州大学材料科学与工程学院
  • [ 3 ] [邵艳群]福州大学材料科学与工程学院
  • [ 4 ] [吴波]福州大学材料科学与工程学院
  • [ 5 ] [唐电]福州大学材料科学与工程学院
  • [ 6 ] [林玮]福州大学材料研究所
  • [ 7 ] [刘雪华]福州大学材料研究所

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Year: 2012

Page: 302-308

Language: Chinese

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