采用射频磁控溅射技术，在不同的沉积温度条件下，以掺2wt%Al2O3的ZnO陶瓷靶作为靶材，在石英玻璃上制备ZnO：Al(AZO)透明导电薄膜。本文通过测试不同沉积温度下制备薄膜的XRD图，透过率曲线，以及薄膜电阻率，载流子浓度，迁移率来研究薄膜的结构及其光电性能，通过对比分析得到一个最优参数。结果表明：制备出来的AZO薄膜是六角纤锌矿结构，具有明显的(002)峰择优取向；薄膜在可见光区域内的平均透过率为84％左右；不同沉积温度对薄膜的电阻率影响很大。当沉积温度为250℃，溅射气压为0.052Pa，溅射功率为1000W，沉积厚度为200nm时，电阻率降到最低值为7.089×10-4Ωcm。