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翁卫祥 (翁卫祥.) [1] | 于光龙 (于光龙.) [2] | 贾贞 (贾贞.) [3] | 李昱 (李昱.) [4] | 郭太良 (郭太良.) [5] (Scholars:郭太良)

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CQVIP PKU CSCD

Abstract:

采用Al作为Cu导电层的主要防氧化保护层,在普通浮法玻璃上利用磁控溅射和湿法刻蚀技术制备Cr/Cu/Al/Cr复合薄膜及其电极,研究不同的热处理温度对复合薄膜及其电极的结构、表面形貌和导电性能的影响.由于有Al层作为保护层,在热处理过程中,Al先与穿过Cr保护层的氧进行反应,从而可以更有效地保护Cu膜层在较高的温度下不被氧化,所制备的薄膜在经过600℃的热处理之后仍然具有较好的导电性能.而对于Cr/Cu/Al/Cr电极,侧面裸露的金属层在热处理过程中的氧化是其导电性能逐渐下降的主要原因,退火温度超过500℃之后,电极侧面裸露部分的氧化范围不断往电极的中间扩散,导致了薄膜电极导电性能显著恶化.虽然如此,Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极在430℃附近仍然具有较好的导电性能,电阻率为7.3×10-8Ω·m,符合FED薄膜电极的要求.以此薄膜电极构建FED显示屏,通过发光亮度均匀性的测试验证了Cr/Cu/Al/Cr电极的抗氧化性.

Keyword:

Cr/Cu/Al/Cr薄膜 薄膜电极 表面形貌 防氧化性能

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液晶与显示

ISSN: 1007-2780

CN: 22-1259/O4

Year: 2011

Issue: 2

Volume: 26

Page: 183-187

0 . 7 0 0

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