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采用溶胶-凝胶法在P-型单晶硅的表面镀上一层TiO2薄膜,并在200-900℃下煅烧得到TiO2/Si复合材料.研究结果发现,经不同温度煅烧得到的TiO2/Si复合材料中TiO2的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同,其光电响应特性亦不同.经400℃煅烧得到的复合材料的光电压最强,相对于单晶硅约提高了3个数量级.
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福州大学学报(自然科学版)
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2001
Issue： 6
Volume： 29
Page： 115-117
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