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采用溶胶 -凝胶法在P -型单晶硅的表面镀上一层TiO2 薄膜 ,并在 2 0 0～ 90 0℃下煅烧得到TiO2 Si复合材料 .研究结果发现 ,经不同温度煅烧得到的TiO2 Si复合材料中TiO2 的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同 ,其光电响应特性亦不同 .经 40 0℃煅烧得到的复合材料的光电压最强 ,相对于单晶硅约提高了 3个数量级
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福州大学学报(自然科学版)
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2001
Issue： 06
Page： 115-117
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