Indexed by：
Abstract：
用PECVD法制备氮化硅介质薄膜，分析了沉积温度、本底真空度及气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜绝缘耐压性能的影响，制备出0.4*!μm的性能良好的氮化硅介质绝缘膜.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Version：
Source ：
福州大学学报(自然科学版)
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2000
Issue： 6
Volume： 28
Page： 15-17
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 6
Affiliated Colleges：
