场致发射显示器(FED)是新型平板显示技术的一种，对于后栅型结构的FED则需要一种绝缘性能良好的介质薄膜来隔离阴极和栅极，而氮化硅(SiNx)是一种具有良好绝缘性能的材料，是FED用绝缘材料研究的重要侯选材料之一。本文采用射频反应磁控溅射法，选择玻璃和铝片作为衬底材料，通过改变溅射功率、衬底温度和N2／Ar气体流量比得到了一系列的SiNx薄膜，研究了工艺条件对SiNx薄膜沉积速率的影响。并利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和电击穿场强测试系统，分别对薄膜的表面形貌、化学计量比和电绝缘性能等进行了表征。实验结果表明，所制备的薄膜表面颗粒分界明显;经成分分析薄膜组分均富硅;用于电学性能测试的结构为(MIM)，具体组成为Cr／SiNx／Cr，氮化硅薄膜的临界击穿场强最高可达2.55MV／cm。