Indexed by：
Abstract：
采用直流磁控反应溅射法制备锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,研究了不同的基片温度、氧分压等工艺参数对ITO薄膜电学、光学性能的影响,制备出方块电阻为20-50Ω、可见光透射率高于86%的ITO薄膜.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Version：
Source ：
福州大学学报（自然科学版）
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 1999
Issue： 4
Volume： 27
Page： 18-20
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 3
Affiliated Colleges：
