Indexed by：
Abstract：
采用化学液相沉积(CLD)法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃和硅基板表面制备了大面积的氧化铝(Al_2O_3)薄膜,并以非腐蚀的方式在硅片表面使用CLD法直接生长图案化Al_2O_3薄膜。Al_2O_3薄膜的表面均匀、连续,生长2 h后膜厚度约为20～30 nm。薄膜的电绝缘性能良好,平均击穿场强达到1.74 MV/cm,可以用作半导体器件的绝缘层。进一步将CLD法制备的Al_2O_3薄膜用作摩擦电纳米发电机(TENG)中的电子阻挡层,其开路电压和短路电流约为120 V和5μA,分别是不含Al_2O_3 TENG的1.6倍和2倍。该薄膜不受摩擦层磨损的影响,可以有效地改善TENG性能。结果表明,C...
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
半导体技术
Year： 2020
Issue： 04
Volume： 45
Page： 304-311
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 6
Affiliated Colleges：
