Abstract：
采用射频磁控溅射和旋涂法制备SiO2/聚酰亚胺(PI)/SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对PI薄膜结构和薄膜表面形貌进行表征;利用超高阻微电流测试仪对SiO2/PI/SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性进行测试.结果表明:相对于相同厚度的单层PI薄膜,多层复合薄膜具有更优的绝缘性能,电压逐步增加到200V时薄膜漏电流密度维持在1.2×10-5A/cm2左右,其耐击穿场强稳定为3.62MV/cm左右,相对于PI薄膜的2.31MV/cm有较大提高.
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Year： 2013
Page： 710-712
Language： Chinese
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