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针对TaO_x单介质层忆阻器在高低阻态突变切换和高运行功耗对突触可塑性模拟方面的不足,提出将氧化锌介质层引入Ti/TaO_x/ITO忆阻器中的方案,拟改善其突触性能.研究发现,器件Ti/ZnO/TaO_x/ITO在功耗和电导调制线性度方面皆有改善,并有着电阻渐变的行为,利于器件突触功能的实现及应用.为此对Ti/ZnO/TaO_x/ITO双介质层器件进行电压脉冲训练,并成功模拟学习饱和、经验学习,以及短时程记忆向长时程记忆转变等生物突触行为.
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福州大学学报(自然科学版)
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2020
Issue： 05
Volume： 48
Page： 596-601
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