铝掺杂氧化锌(ZAO)透明导电膜兼具电阻率低和透光性好的特点,在光学与光电子领域具有广阔的应用前景。本文以微米级的高纯超细ZnO和Al2O3粉体为原料,通过控制适当的素坯成型压力,烧结前增加冷等静压环节,优化烧结工艺,制备出了高致密度和低电阻率的ZAO靶材。在16　MPa的成型压力,120　MPa冷等静压,1350℃×1　h的烧结工艺下,制备出了高致密度和低电阻率的ZAO靶材,其致密度达98.0%,电阻率为1.8×10-2Ω.cm,接近于热等静压所制备出的ZAO靶材。利用自制靶材,通过射频磁控溅射法,进一步制备出了ZAO薄膜,透光率达到88.6%,最低电阻率达到2.1×10-3Ω.cm。