Abstract：
＜正＞氧化锌(Zn O)作为一种宽禁带(3.37 e V)半导体材料,近10年来已成为纳米材料领域的一个持续的研究热点。目前Zn O纳米阵列结构主要由液相法、气相法及电沉积等方法制备[1,2]。本文采用直接电沉积方法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了Zn O纳米线薄膜[3,4]。并用存储有HNO3的琼脂糖模板对其阵列化刻蚀,
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Year： 2011
Language： Chinese
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