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在Si/SiO2衬底上使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制备器件介电层的修饰层,改善介电层界面质量并诱导有源层生长,从而提高有源层的结晶程度。通过真空蒸镀法生长并五苯/红荧烯双层结构有源层,制备有机薄膜晶体管(OTFT),并研究器件性能随红荧烯层厚度变化的情况。测试结果表明,修饰后的器件阈值电压为-3.55 V,电流开关比大于105,迁移率达到0.0558 cm^2/V·s,亚阈值摆幅为1.95 V/dec,器件总体性能得到改善。
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人工晶体学报
ISSN： 1000-985X
Year： 2020
Issue： 2
Volume： 49
Page： 246-251
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