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本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构，器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片，有机半导体聚合物薄膜，以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本发明制作的有机薄膜晶体管器件，其有源层在制备完成后，将硅片置于如图所示装置中进行溶剂蒸汽退火处理，同时，在该装置两侧的电极基板上施加一定大小的电场，通过电场增加有源层分子排列的有序性，从而提高该薄膜晶体管的迁移率和相关电学性能。本发明所述的溶剂蒸汽退火及加电场处理的方式，其方法简单，易操作，投入成本低，且得到的有机薄膜晶体管迁移率有较大提升。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201610080077.3
Filing Date： 2016/2/5
Publication Date： 2018/6/15
Pub. No.： CN105552228B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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