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张洪格 (张洪格.) [1] | 朱佳 (朱佳.) [2] | 章永凡 (章永凡.) [3]

Indexed by:

CQVIP PKU

Abstract:

采用密度泛函理论(DFT)方法对二硫化钼(MoS2)完整表面和不同掺杂浓度下过渡金属Zn原子掺杂MoS2表面(Zn-MoS2)的构型、电子结构及其电催化析氢性能进行了研究.研究结果表明:与MoS2完整表面相比,Zn掺杂单层MoS2的氢吸附吉布斯自由能(-0.09 eV)明显减小,接近理想值(约0 eV),表现出优异的析氢催化反应性能.电子结构研究结果表明:Zn掺杂MoS2表面后,体系费米能级附近出现了Zn-3d轨道的带隙态,这表明有效调控了MoS2催化材料的电子结构.在费米能级附近还出现了与Zn原子相邻的S原子的3p轨道的新电子态,可有效增强S-3p轨道和H-1s轨道的重叠,从而提高吸附氢的性能、优化电催化析氢性能.进一步对不同Zn掺杂浓度下Zn-MoS2体系的研究结果表明提高Zn掺杂浓度仍能保持优异的电催化析氢反应性能.该文通过引入不同Zn掺杂浓度的方法,对MoS2电催化剂的电子结构进行调控,从而有效提升电催化析氢反应性能.

Keyword:

MOS2 Zn掺杂 密度泛函理论 电催化析氢性能 电子结构

Community:

  • [ 1 ] 江西师范大学化学化工学院,江西南昌330022
  • [ 2 ] 福州大学化学学院,福建福州350116

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Source :

江西师范大学学报:自然科学版

ISSN: 1000-5862

Year: 2020

Issue: 4

Volume: 44

Page: 417-423

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