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采用低温热分解法制备了Ti基IrO_2-Ta_2O_5氧化物涂层电极。通过X射线衍射(XRD),循环伏安曲线,交流阻抗谱,恒流充放电等测试方法分析了Ta含量对IrO_2-Ta_2O_5氧化物涂层组织结构及电容性能的影响。结果表明,Ta_2O_5可抑制IrO_2的晶化程度。随涂层中Ta含量增加,晶化度降低。当Ta含量为60 mol%时,IrO_2-Ta_2O_5电极的结晶度为6.4%,具有较小的电荷转移电阻和最高的比电容(239.2 F/g),比IrO_2电极比电容(54.1 F/g)提高了近4倍。
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稀有金属材料与工程
ISSN： 1002-185X
Year： 2017
Issue： 9
Volume： 46
Page： 2589-2593
0 . 2 9
JCR@2017
0 . 6 0 0
JCR@2023
ESI HC Threshold：306
JCR Journal Grade：4
CAS Journal Grade：4
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